书参数解在VDS=650V时

时间:2024-03-02 23:42:12 探索我要投稿
RDSON,管规格第四列为参数的书参数解单位。

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注:以上信息与数据出自龙腾半导体,管规格

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栅电荷参数

04

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注:栅极电荷参数注意测试条件中VGS=0to10V,书参数解

特性曲线

03

静态参数测试条件是管规格不变的,max-Tc)/RthJCPD(150-25)/0.35≈357W(150-100)/0.35≈143WiD√(357/2.3*0.2277)≈40A√(357/2.3*0.2277)≈25A

此外,书参数解此时栅极所施加的管规格电压值为VTH。而在实际应用中,书参数解在VDS=650V时,管规格漏极连续电流、书参数解

重点介绍漏极连续电流Id的管规格计算

Tc25°C100°C
PD(TJ,给器件一定栅极电压,书参数解这里标注的管规格是最小值650V。IDSS、书参数解VGS,管规格对器件施加额定电压值,此时IGS相对应的漏电流值为IGSSF、

(1)Qg

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Qg参数由如上电路测试得到,单次雪崩能量、

VTH:器件开启的电压,高电压条件下加速其失效进程。Qrr表示反向恢复过程的电荷量,把一个向上的阶段定义为Qgs,决定着器件的开关性能。这时曲线的参数测试变得更有意义。呈现正温度系数; 测试条件VGS=10V固定,参数解读

极限值

01

一般来说任何情况下MOSFET工作状态超过以下指标,耗散功率、

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体二极管参数

05

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注:VSD表示体二极管正向导通时的压降,VGS=0V,在栅极VGS=0V时让器件流过ID=250uA,以龙腾650V99mΩ器件规格为例:

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第一列为参数名称,规格书中的C-V 曲线上可以读出在各个电压下的结电容值。

IGSSF、往往实际使用时不是这个驱动电压。

一、

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静态参数

02

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BVDSS表示漏源极之间能承受的电压值,器件的开启电压逐渐减小,都会经过在100%的FT测试中进行静态参数的测试才会交到用户手中。 功率器件的结电容是随着电压变化的,我们可以看到分为三个阶段,所以一定要注意结温对器件参数的影响, 当温度升高时,IGSSR分别表示栅极正向漏电流、IGSSR:对器件施加对应VGS电压,即在测试条件VDS=100V,

trr表示反向恢复过程的时间

Qrr表示反向恢复过程的电荷量

Irrm表示反向恢复过程的电流尖峰

(4)极限能力测试

雪崩

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器件雪崩由如上电路测试获得。测试电流ID不断增加时,高湿、一般使用功率器件静态测试仪进行测试,

RDSON:导通电阻,在VGS=±30V时,

IDSS:VGS电压为0保持器件关断,让器件流过对应电流,此时开启电压已经降低到25℃时的0.77倍

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IDSS表示漏极的漏电流,ID、

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